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BSP295 发布时间 时间:2025/6/11 16:33:43 查看 阅读:8

BSP295是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,能够显著提高系统的效率和稳定性。BSP295在设计上注重散热性能和可靠性,适合中等功率范围的应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:7.8A
  导通电阻(Rds(on)):0.13Ω(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗:2.5W
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  存储温度范围:-65℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,适用于高频开关应用。
  3. 具有出色的热稳定性和耐用性。
  4. 内置反向二极管以支持续流功能。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. TO-252封装使其易于集成到紧凑型设计中。

应用

1. 开关电源中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器的核心开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 负载开关及保护电路。
  5. 各类电池管理系统的功率路径控制。
  6. 照明系统中的调光与调节控制。

替代型号

IRFZ44N
  STP75NF06
  FDP17N06

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BSP295参数

  • 典型关断延迟时间27 ns
  • 典型接通延迟时间5.4 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs14 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds295 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度3.5mm
  • 封装类型SOT-223
  • 尺寸6.5 x 3.5 x 1.6mm
  • 引脚数目4
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散1.8 W
  • 最大栅源电压±20 V
  • 最大漏源电压60 V
  • 最大漏源电阻值0.3
  • 最大连续漏极电流1.8 A
  • 最高工作温度+150 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别小信号
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置双漏极、单
  • 长度6.5mm
  • 高度1.6mm