BSP295是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特性,能够显著提高系统的效率和稳定性。BSP295在设计上注重散热性能和可靠性,适合中等功率范围的应用。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:7.8A
导通电阻(Rds(on)):0.13Ω(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:2.5W
工作结温范围:-55℃至+150℃
存储温度范围:-65℃至+150℃
1. 极低的导通电阻有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力,适用于高频开关应用。
3. 具有出色的热稳定性和耐用性。
4. 内置反向二极管以支持续流功能。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. TO-252封装使其易于集成到紧凑型设计中。
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关及保护电路。
5. 各类电池管理系统的功率路径控制。
6. 照明系统中的调光与调节控制。
IRFZ44N
STP75NF06
FDP17N06