时间：2025/9/14 17:48:06
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BSP250,135 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种开关和功率管理应用。该器件采用TSC80封装，具备优良的热性能和电气性能，适用于工业控制、电源管理和汽车电子等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A（在25°C）
功耗(Pd)：30W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TSC80
BSP250,135 MOSFET具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。
首先，该器件的漏源电压为60V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率应用。栅源电压支持±20V，提供了良好的栅极控制稳定性。
其次，该MOSFET的连续漏极电流在25°C下可达20A，使其能够驱动较大负载，适用于电机控制、DC-DC转换器等场景。同时，其30W的功耗设计确保了良好的热管理能力，避免在高负载下出现过热问题。
此外，BSP250,135采用TSC80封装，具备优异的散热性能，有助于降低结温并提高器件的可靠性。该封装形式也便于焊接和安装，适用于自动化生产和手工装配。
该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。在开关应用中，低导通电阻意味着更小的电压降和更高的能量利用率。
最后，BSP250,135具有良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行，提高了系统的鲁棒性和可靠性。
BSP250,135广泛应用于多个领域，包括工业自动化、电源管理、DC-DC转换器、电机控制和汽车电子系统。在电源管理模块中，它可用于高效能开关电源的设计；在电机控制系统中，可用于驱动直流电机或步进电机；在汽车电子中，该器件可用于车载充电系统、车身控制模块等。此外，它也适用于电池供电设备和能量回收系统。
BSP250,115
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