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BSP135H6327XTSA1 发布时间 时间:2025/4/28 16:08:27 查看 阅读:3

BSP135H6327XTSA1是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,专为高功率应用设计。该型号属于英飞凌(Infineon)的OptiMOS系列,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性。它适用于各种工业和汽车领域的电源管理场景,例如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。
  这款MOSFET采用TOLL封装形式,能够提供出色的散热性能,并且支持大电流操作。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):135A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):395W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TOLL

特性

BSP135H6327XTSA1具有以下主要特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常工作条件下的可靠性和稳定性。
  3. 快速开关速度,可有效降低开关损耗,适合高频应用。
  4. TOLL封装设计提供了卓越的散热性能,同时简化了PCB布局和焊接过程。
  5. 符合AEC-Q101标准,适用于严苛环境中的汽车级应用。

应用

BSP135H6327XTSA1广泛应用于以下领域:
  1. 汽车电子:用于车载充电器、逆变器、DC-DC转换器等。
  2. 工业控制:如伺服驱动、UPS系统、太阳能逆变器等。
  3. 通信设备:电信基站电源模块。
  4. 消费类电子产品:高端笔记本电脑适配器和游戏机电源供应单元。
  其高电流承载能力和高效节能特性使其成为多种高功率密度应用的理想选择。

替代型号

BSC135H6327XTSA1
  BSP135H6327XLSA1

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BSP135H6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥12.08000剪切带(CT)1,000 : ¥5.48925卷带(TR)
  • 系列SIPMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 欧姆 @ 120mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 94μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.9 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)146 pF @ 25 V
  • FET 功能耗尽模式
  • 功率耗散(最大值)1.8W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT223-4
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA