时间：2025/6/30 8:35:09
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BSP108是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种开关和调节电路中。该器件采用小型化的SOT23封装形式，具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等特性，适用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：4.2A
导通电阻Rds(on)：0.17Ω（在Vgs=10V时）
功耗Pd：550mW
工作结温范围Tj：-55℃至+150℃
BSP108具备低导通电阻的特点，有助于减少传导损耗并提高效率。
其小型SOT23封装使其非常适合空间受限的设计环境。
同时，BSP108拥有较快的开关速度，可有效降低开关损耗。
它还具有较强的抗雪崩能力，从而增强了器件在异常条件下的可靠性。
BSP108支持宽范围的工作温度，能够在严苛环境下稳定运行。
BSP108适合用于各类需要高效功率转换的场合，例如电源管理模块中的负载开关、DC-DC转换器、LED驱动器等。
此外，由于其优良的性能指标，BSP108还可作为保护电路中的电子保险丝使用，提供过流保护功能。
在便携式设备如手机充电器、平板电脑适配器中，这款MOSFET同样有出色表现。
BSS123
IRLML6344
FDC6560
