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BSO215C 发布时间 时间:2025/12/24 14:14:59 查看 阅读:14

BSO215C是一种NPN型小信号晶体管,广泛应用于高频放大和开关电路中。该晶体管具有低噪声、高增益以及良好的线性度特点,适用于各种音频和射频应用。其结构设计确保了在高频条件下仍能保持稳定的性能。
  该器件通常被用作放大器中的增益级或作为高速开关元件。BSO215C采用TO-92封装形式,便于安装与散热管理。

参数

集电极最大电流(Ic):0.1A
  集电极-发射极击穿电压(Vceo):30V
  发射极-基极击穿电压(Veb):5V
  功率耗散(Ptot):310mW
  过渡频率(Ft):300MHz
  直流电流增益(hFE):100-400
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高频率响应能力,适合射频和高频应用。
  2. 优秀的直流电流增益范围,提供稳定可靠的放大效果。
  3. 小型化TO-92封装设计,节省PCB空间且易于焊接。
  4. 较宽的工作温度范围,能够在恶劣环境下正常运行。
  5. 具备较高的集电极-发射极击穿电压,提升了使用的安全性。

应用

1. 音频设备中的前置放大器。
  2. 射频模块内的信号放大器。
  3. 各种电子开关电路中的控制元件。
  4. 调制解调器和其他通信设备中的信号调节部分。
  5. 测量仪器中的低噪声放大组件。

替代型号

MPS215C, 2SC215C, KSB215C

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BSO215C参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列SIPMOS®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 3.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds246pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSO215CINTR