时间：2025/6/11 17:13:43
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BSO200N03是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。其封装形式通常为TO-220或SMD封装，便于在各种电路中使用。这种MOSFET广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：200A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：45nC
总电容：1200pF
功耗：180W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSO200N03具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达200A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. 良好的热稳定性，能够在宽泛的工作温度范围内保持性能。
5. 小型化设计，节省电路板空间。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
BSO200N03被广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电模块。
6. 各种保护电路，例如过流保护和短路保护。
IRF260N, STP200N03L, FDP200N03L
