时间：2025/7/11 12:47:23
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BSO150N03是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及良好的热稳定性，能够在高频应用中提供高效的性能表现。
BSO150N03采用TO-252/DPAK封装形式，具备出色的散热性能，适合在紧凑型设计中使用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：15A
导通电阻：1.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗：14W（Tc=25℃）
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗。
2. 高雪崩耐量能力，确保在异常条件下仍能稳定运行。
3. 快速开关速度，支持高频工作场景。
4. 提供优异的热特性和电气可靠性。
5. 小型化的DPAK封装，节省PCB空间并简化散热设计。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电池保护电路中的电子保险丝。
4. 各类电机驱动及负载切换电路。
5. 照明系统中的LED驱动控制元件。
IRLZ44N, AO3400A, FDMQ8203
