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BSO080P03S 发布时间 时间:2025/12/18 11:40:43 查看 阅读:53

BSO080P03S 是一款基于硅基材料制造的 N 沛 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于功率转换、电机驱动以及开关电源等应用。该器件采用小型表面贴装封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合高效能设计。
  该器件通常被应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域,能够提供高效率和高可靠性的性能表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:80A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  总功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

BSO080P03S 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关性能使得该器件在高频应用中表现出色。
  3. 高电流承载能力确保其在大功率应用场景下的稳定性。
  4. 小型化封装降低了 PCB 空间占用,并且提高了热管理性能。
  5. 宽泛的工作温度范围支持其在极端环境中的使用。

应用

BSO080P03S 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动与控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 电动工具及家用电器中的高效功率转换。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。

替代型号

BSC080P03NS, BSO100P03S

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BSO080P03S产品

BSO080P03S参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 14.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs136nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5890pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.79W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装PG-DSO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSO080P03S-NDBSO080P03SINTRBSO080P03SNTBSO080P03STSP000014958