时间：2025/9/14 1:43:25
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BSN20BK.215 是一款由 Vishay 公司制造的双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型SOT-223封装，适用于高效率、低功耗的开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：100mA
导通电阻（Rds(on)）：最大值为12Ω（Vgs=10V）
功耗（Ptot）：1W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
BSN20BK.215 的主要特性之一是其双N沟道MOSFET结构，允许在同一封装内实现两个独立的MOSFET器件，从而节省PCB空间并简化电路设计。该器件的低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，其SOT-223封装具备良好的散热性能，适用于需要稳定工作的应用场景。
该MOSFET具有高栅极绝缘强度，栅源电压可承受±20V，确保在复杂电磁环境中稳定工作。其快速开关特性使其适用于高频开关电源和脉宽调制（PWM）控制电路。同时，BSN20BK.215 在设计上优化了热阻，使其在小尺寸封装下仍具备良好的热管理能力，适用于紧凑型电源设计。
此外，BSN20BK.215 还具备良好的抗静电能力，增强了器件在装配和使用过程中的可靠性。其符合RoHS环保标准，适用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品。
BSN20BK.215 主要应用于低功率开关电路、DC-DC转换器、LED驱动器、电池管理系统、小型电机控制、继电器驱动以及各种便携式电子设备中的功率管理模块。由于其双MOSFET结构，也适用于需要双路独立控制的H桥电路和负载开关应用。此外，该器件在工业自动化、通信设备和传感器系统中也广泛使用。
BSN20, BSN21, 2N7002, FDS6679, SI2302DS
