时间：2025/5/22 15:09:26
阅读：2
BSL806N H6327是一款由英飞凌（Infineon）生产的增强型N沟道MOSFET，采用TOLL封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于需要高效功率转换的工业及汽车应用领域。
这款MOSFET主要针对高功率密度、高效率的设计需求而开发，其出色的开关性能和低损耗特性使其成为电源管理、电机驱动以及可再生能源系统中的理想选择。
型号：BSL806N H6327
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：15mΩ（典型值，@Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：94A
Qg（栅极电荷）：120nC
Eoss（输出电容储能）：210μJ
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TOLL
BSL806N H6327具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电压（650V），能够承受较高的电压应力，适合多种高压应用场景。
3. 快速开关能力，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 强大的电流承载能力，允许高达94A的连续漏极电流。
5. 优化的热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保设计，适用于现代电子设备制造要求。
7. 耐热增强型TOLL封装，便于散热并简化PCB布局设计。
BSL806N H6327广泛应用于以下领域：
1. 工业用开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）。
2. 太阳能逆变器及其他可再生能源转换系统。
3. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的车载充电器和DC/DC转换器。
4. 电机控制和驱动电路。
5. PFC（功率因数校正）电路。
6. 各类大功率开关和负载切换应用。
IPW90R130C6, BSC098N06LSG
