时间：2025/7/11 12:46:01
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BSL314PE是一种N沟道逻辑增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于各种开关和功率管理电路中，由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适合在高效率、高频率的电源转换场景下使用。BSL314PE采用了先进的制造工艺以实现更高的性能和可靠性。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.7A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：11nC
开关时间：t_on=18ns, t_off=15ns
工作温度范围：-55℃至175℃
BSL314PE具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高系统效率。
该器件的从而支持高频操作。
它还具备出色的热稳定性和耐用性，能够在极端温度条件下可靠工作。
此外，其小尺寸封装使其非常适合空间受限的应用场景。
BSL314PE主要应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路以及音频放大器等场景。
它也可以用于便携式电子设备中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。
在工业领域，该器件可用于伺服驱动器、逆变器和不间断电源（UPS）系统中。
BSS138, BSL109A, PMV40UN
