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BSL307SP 发布时间 时间:2025/7/11 15:38:11 查看 阅读:12

BSL307SP是一种N沟道功率MOSFET,采用SOT-23封装形式。该器件主要应用于便携式设备、消费电子以及需要低导通电阻和快速开关特性的场合。其设计旨在提供高效能的开关性能,适用于负载开关、电源管理模块和电池保护电路等应用领域。
  该型号以其小型化封装和优越的电气特性著称,特别适合空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.19Ω(在Vgs=4.5V时)
  总功耗:400mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

BSL307SP具有以下显著特性:
  1. 高效的导通电阻使其非常适合低功耗应用。
  2. 小型SOT-23封装有助于减少PCB空间占用。
  3. 快速开关速度减少了开关损耗。
  4. 良好的热稳定性确保了器件在高温环境下的可靠性。
  5. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 内置ESD保护功能提高了整体系统稳定性。

应用

该器件广泛应用于多种场景中,包括但不限于:
  1. 消费类电子产品中的负载开关。
  2. 移动设备和可穿戴设备中的电源管理。
  3. 电池供电系统的过流保护。
  4. USB接口保护与开关控制。
  5. 工业自动化中的小型信号处理模块。
  6. 照明驱动器中的开关元件。

替代型号

AO3400
  FDC6550
  IRLML6402

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BSL307SP参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)43 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 40μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)29 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)805 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TSOP6-6
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6