时间：2025/5/24 15:51:44
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BSL215CH6327是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于多种功率转换应用。其封装形式为SOT-23，适合于空间受限的设计环境。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域，能够提供高效的功率管理和稳定的性能表现。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：0.16Ω（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：4nC
总电容：220pF
功耗：0.5W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 小型化SOT-23封装，节省PCB板空间。
4. 高静电防护能力，确保可靠运行。
5. 宽泛的工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器的核心元件。
3. 电池管理系统的保护电路。
4. 负载开关和电机驱动。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. LED驱动器中的高效开关元件。
AO3400A
IRLML6344
FDC6502
SI2302DS
