您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSL215CH6327

BSL215CH6327 发布时间 时间:2025/5/24 15:51:44 查看 阅读:17

BSL215CH6327是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性,适用于多种功率转换应用。其封装形式为SOT-23,适合于空间受限的设计环境。
  这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域,能够提供高效的功率管理和稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:1.8A
  导通电阻(Rds(on)):0.16Ω(在Vgs=4.5V时)
  栅极电荷:4nC
  总电容:220pF
  功耗:0.5W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高频应用。
  3. 小型化SOT-23封装,节省PCB板空间。
  4. 高静电防护能力,确保可靠运行。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 直流-直流转换器的核心元件。
  3. 电池管理系统的保护电路。
  4. 负载开关和电机驱动。
  5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
  6. LED驱动器中的高效开关元件。

替代型号

AO3400A
  IRLML6344
  FDC6502
  SI2302DS

BSL215CH6327推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价