BSL215CH6327是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性,适用于多种功率转换应用。其封装形式为SOT-23,适合于空间受限的设计环境。
这款MOSFET广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制领域,能够提供高效的功率管理和稳定的性能表现。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:1.8A
导通电阻(Rds(on)):0.16Ω(在Vgs=4.5V时)
栅极电荷:4nC
总电容:220pF
功耗:0.5W
工作温度范围:-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,支持高频应用。
3. 小型化SOT-23封装,节省PCB板空间。
4. 高静电防护能力,确保可靠运行。
5. 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器的核心元件。
3. 电池管理系统的保护电路。
4. 负载开关和电机驱动。
5. 消费类电子产品中的电源管理模块。
6. LED驱动器中的高效开关元件。
AO3400A
IRLML6344
FDC6502
SI2302DS