时间：2025/8/14 21:14:01
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PJSD36TS T/R是一款由PanJit Semiconductor（强茂半导体）生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高频率开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。T/R后缀通常表示该型号采用卷带封装，适合自动化贴片生产流程。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：30A（最大）
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
PJSD36TS T/R具有出色的热稳定性和高频开关性能，其低导通电阻能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用先进的沟槽式工艺，具有较高的电流密度和良好的热传导能力，适用于紧凑型高功率密度设计。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力和过载保护功能，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。其卷带封装（T/R）形式便于自动化生产和贴片操作，提高制造效率。
该MOSFET广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路以及工业自动化设备。在汽车电子系统中，它也常用于车载充电器、电动工具和电机控制模块。由于其高可靠性和紧凑设计，PJSD36TS T/R也适用于便携式电子设备和LED照明驱动电路。
Si4410BDY-E3、IRFZ44N、FDN340P、FDS4410A
