时间：2025/9/14 16:17:58
阅读：23
BSH207,135 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中低功率的开关应用。该器件采用小型化的SOT-223封装，具备良好的热性能和电流承载能力，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、负载开关以及嵌入式系统中的功率控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.7A
导通电阻(Rds(on))：最大值为0.85Ω（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-223
BSH207,135 具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效减少导通损耗并提高开关效率。该器件在Vgs=10V时的Rds(on)最大为0.85Ω，确保在中等电流条件下保持较低的压降。SOT-223封装形式不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适合在高密度PCB设计中使用。
此外，该MOSFET具备较高的耐压能力，漏源击穿电压为60V，适用于多种中压应用。其栅极驱动电压范围宽，可在±20V范围内稳定工作，提高了与不同驱动电路的兼容性。BSH207,135还内置一定的抗静电能力，增强了器件在实际应用中的可靠性。
BSH207,135 主要用于需要中等功率开关能力的电路中，如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动控制、继电器替代电路、LED照明调光系统以及各类便携式电子产品中的电源管理模块。
BSH207,315; BSH207; BUK9K1.7-60E; FDS6675; AO3400
