时间：2025/12/28 21:14:32
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BSFE75G08 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能功率MOSFET器件，采用先进的屏蔽栅（Shielded Gate）技术，适用于高效率和高频率的电源转换应用。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优化的开关损耗，使其在电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和工业自动化系统中广泛使用。BSFE75G08 采用标准的TO-220封装，具备良好的热管理和电气性能，适用于多种高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：80V
最大漏极电流（Id）：75A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大8.0mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：约85nC
最大功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-220
阈值电压（Vgs(th)）：约2.3V至3.8V
漏极-源极击穿电压：80V
BSFE75G08 采用屏蔽栅技术，显著降低了器件的米勒电容（Crss），从而减少开关过程中的能量损耗，提高整体效率。该MOSFET具有非常低的Rds(on)，确保在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提高电源系统的整体能效。此外，其高电流承载能力和优异的热稳定性，使其适用于高功率密度设计。BSFE75G08 还具备较强的抗雪崩能力和高耐用性，能够承受瞬时过载和极端工作条件，提高系统的可靠性。其封装设计便于散热管理，适用于各种高功率应用环境。
BSFE75G08 常用于各类高效率电源系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、服务器电源、工业电源、UPS系统、电动工具、电池管理系统（BMS）、电机控制以及光伏逆变器等。由于其高效率和高可靠性的特点，该MOSFET在需要高功率密度和高开关频率的场合中表现尤为出色。
IPB080N08N3, STB100N8F7AG, FDBL80N08A0B
