您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSD5A051V

BSD5A051V 发布时间 时间:2025/5/28 16:06:39 查看 阅读:11

BSD5A051V是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用中。它属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,适合高频应用场景。
  该器件采用先进的制造工艺,能够在高电流和高压条件下保持稳定性能。其封装形式一般为TO-252或SOT-23,具体根据制造商版本有所不同。

参数

最大漏源电压:50V
  最大连续漏极电流:4.8A
  导通电阻:5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:15nC(典型值)
  输入电容:350pF(典型值)
  反向恢复时间:无(由于是MOSFET)
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

BSD5A051V的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频电路设计。
  3. 高雪崩能力,能够承受瞬态过压事件。
  4. 小型化封装,便于PCB布局优化。
  5. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持一致性能。
  6. 可靠性高,适用于工业和消费电子领域。

应用

BSD5A051V广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器和充电器中的同步整流。
  2. 便携式设备的负载开关控制。
  3. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  4. 电池保护电路中的充放电管理。
  5. 电机驱动电路中的功率级控制。
  6. 各类逆变器和LED驱动电路。

替代型号

IRF7405, AO3400, FDS6670A

BSD5A051V推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价