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BSC670N25NSFDATMA1 发布时间 时间:2025/12/23 12:29:56 查看 阅读:57

BSC670N25NSFDATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的功率 MOSFET 芯片,属于 OptiMOS 系列。该芯片采用 N 沟道技术,主要应用于需要高效能和低导通电阻的场景,例如开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及工业电子设备等。其设计目标是提供高效率、低损耗以及强大的耐用性,从而满足现代电力电子应用的需求。
  这款芯片采用了先进的封装技术和优化的内部结构设计,以确保在高频开关和大电流负载条件下依然能够保持稳定性能。

参数

最大漏源电压:250V
  连续漏极电流:67A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:88nC
  总电容:2950pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSC670N25NSFDATMA1 具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它能够在高电流应用中显著降低传导损耗,提高系统整体效率。同时,其优化的栅极电荷设计有助于减少开关损耗,并支持更高的开关频率操作。此外,该器件具备出色的热性能和鲁棒性,能够在极端环境温度下长期可靠运行。
  另外,它还具有快速恢复体二极管功能,可以有效避免反向恢复过程中出现的额外损耗和振荡现象。这一特点对于硬开关拓扑结构尤为重要。最后,该产品符合 RoHS 标准,环保且易于集成到各种现代化设计当中。

应用

BSC670N25NSFDATMA1 广泛应用于工业与汽车领域,典型应用场景包括但不限于以下几种:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电动车辆及混合动力车辆中的电机控制器
  3. 工业自动化设备中的伺服驱动
  4. 太阳能逆变器
  5. 各类 DC-DC 转换器模块
  6. LED 照明驱动电路
  由于其卓越的性能指标和可靠性,该芯片特别适合那些对效率、散热管理以及紧凑型设计要求较高的场合。

替代型号

BSC670N25NS3, IRFB4110TRPBF, FDP177N25A

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BSC670N25NSFDATMA1产品

BSC670N25NSFDATMA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥27.82000剪切带(CT)5,000 : ¥13.42101卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)67 毫欧 @ 24A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 90μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2410 pF @ 125 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)150W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TDSON-8-1
  • 封装/外壳8-PowerTDFN