BSC500N20NS3GATMA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-263 封装形式。该器件具有高效率、低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电力电子应用领域。其额定电压为 200V,连续漏极电流可达 500A,广泛用于工业电源、电机驱动、逆变器以及其他高压大电流的功率转换系统。
这款 MOSFET 的设计结合了先进的沟槽式技术与场截止技术,从而实现了更低的导通损耗和开关损耗,同时提高了系统的整体效率和可靠性。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:500A
栅源开启电压:4V
导通电阻:1.8mΩ
总功耗:270W
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
BSC500N20NS3GATMA1 提供了卓越的电气性能和热性能。其主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,减少开关过程中的能量损耗。
3. 高雪崩能力,增强在异常条件下的鲁棒性。
4. 先进的封装技术,改善散热性能。
5. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
BSC500N20NS3GATMA1 被广泛应用于以下领域:
1. 工业电源供应器,例如 UPS 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动控制,如伺服电机和无刷直流电机驱动。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. 开关模式电源(SMPS)和 PFC(功率因数校正)电路。
5. 电动汽车及混合动力汽车的电力管理系统。
6. 各种需要高效率、大电流处理能力的电力电子设备。
BSC500N20NS3G, IRFP460, STW45N60DM2