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BSC109N10NS3G 发布时间 时间:2025/5/8 15:59:13 查看 阅读:9

BSC109N10NS3G 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的沟道技术,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于各种高效能的电力电子应用中。其封装形式为TO-263-3,具有良好的散热性能和可靠性,适用于工业、汽车及消费类电子产品中的电源管理解决方案。
  BSC109N10NS3G属于P沟道增强型MOSFET,能够承受高达100V的工作电压,并且具备较低的导通电阻,这有助于减少功耗并提升整体效率。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:-9A
  导通电阻(典型值):15mΩ
  栅极电荷(典型值):18nC
  输入电容(典型值):440pF
  总功耗:1.3W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

BSC109N10NS3G 具备以下关键特性:
  1. 高耐压能力:可承受高达100V的漏源电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻:典型值仅为15mΩ,有效降低功率损耗,提升转换效率。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷和输入电容使其能够实现高速开关操作,非常适合高频应用。
  4. 宽温范围:支持从-55℃到+175℃的工作温度范围,适应多种极端环境条件。
  5. 强大的散热设计:采用TO-263-3封装,具备出色的热传导性能,确保长期可靠性。
  6. 符合RoHS标准:环保设计,满足国际环保法规要求。

应用

BSC109N10NS3G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为功率级开关元件,用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
  2. 电机控制:驱动小型直流电机或步进电机,提供精确的速度和扭矩控制。
  3. 电池管理系统(BMS):用于保护电路,防止过充或过放。
  4. 工业自动化:参与各种工业控制设备中的负载切换和信号调节。
  5. 汽车电子:适用于车载电子系统的电源管理和电机驱动。
  6. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、家用电器中的电源部分。

替代型号

BSC110N10NS3G, BSC098N10NSG

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