时间：2025/6/6 16:41:26
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BSC098N10NS5 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其主要特点是低的导通电阻、快速的开关速度以及出色的热性能，非常适合于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等应用。
该 MOSFET 在设计上注重提高能效，同时降低了系统成本和复杂性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9.8A
导通电阻（典型值）：9mΩ
栅极电荷（典型值）：12nC
反向恢复时间：6ns
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
BSC098N10NS5 的导通电阻非常低，仅为 9mΩ，能够有效减少导通损耗，从而提高整体系统的效率。
该 MOSFET 具有快速的开关速度，可以显著降低开关损耗，使其在高频应用中表现优异。
其 SuperSO8 封装具有良好的散热性能，并且与标准 SO8 封装兼容，便于设计和替换。
此外，该器件还具备出色的抗雪崩能力，能够在异常条件下提供更高的可靠性。
BSC098N10NS5 广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子领域。
常见的应用包括但不限于：笔记本电脑适配器、智能手机充电器中的功率转换电路；DC-DC 转换器中的主开关管；电机驱动电路中的半桥或全桥配置；各种负载开关和保护电路。
由于其高效性和耐用性，它也非常适合用于绿色能源相关的产品，如太阳能逆变器的小功率段。
BSC098N10M, IRFZ44N, FDP5570
