ST40X-10S-CVR(30) 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))特性,有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。这款MOSFET采用先进的制造工艺和封装技术,适用于如DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及各种功率管理应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):40A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):最大10mΩ(典型值可能更低)
最大功耗(Pd):200W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220
技术:增强型MOSFET
ST40X-10S-CVR(30) 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这使得该器件在高电流条件下也能保持较低的导通损耗,从而提高系统效率。此外,该MOSFET具有高电流承载能力和优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。
其栅极结构设计优化,提供了良好的开关性能,减少了开关损耗。这使得该器件特别适合用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
该MOSFET的封装形式为TO-220,具备良好的散热能力,并且适用于通孔安装(Through-Hole),便于在多种电路板设计中使用。此外,该器件具有高雪崩耐受能力和良好的短路稳定性,提高了整体系统的可靠性。
ST40X-10S-CVR(30) 还具有良好的栅极电荷(Qg)特性,有助于减少驱动电路的负担,提高开关速度并降低开关损耗。同时,其较高的最大工作温度范围(-55°C至175°C)使其适用于工业和汽车等苛刻环境中的应用。
ST40X-10S-CVR(30) 主要应用于需要高效功率转换的场合,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及电源管理系统。此外,它还可用于工业自动化设备、电信设备、服务器电源、电动汽车(EV)充电系统、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等高功率应用。
由于其优异的热性能和高电流能力,该MOSFET也常用于汽车电子系统,如车载充电器(OBC)、电动助力转向系统(EPS)和车载DC-DC转换器等。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于军工和航空航天等高要求领域。
STP40NF10, FDP40N10A, IRF150, FQP40N10