时间：2025/6/5 23:44:23
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BSC079N10NSG是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
这款MOSFET的封装形式为PDFN5*6-8L，非常适合空间受限的设计。其额定电压为100V，持续漏极电流可达9A，能够满足中等功率应用的需求。
额定电压：100V
最大漏极电流：9A
导通电阻：7.9mΩ
栅极电荷：20nC
开关时间：典型值t_on=12ns，t_off=23ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：PDFN5*6-8L
BSC079N10NSG具有非常低的导通电阻Rds(on)，在典型条件下仅为7.9毫欧姆。这使得器件在高电流应用中表现出极低的功耗。此外，该器件的栅极电荷较小，有助于实现高效的高频开关操作。
它还具备出色的热稳定性，在高温环境下依然能保持良好的性能。结合紧凑的PDFN封装，这款MOSFET是便携式设备、电源适配器以及小型化工业控制系统的理想选择。
BSC079N10NSG广泛应用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动电路、负载开关和电池保护电路等领域。
由于其高效能和小尺寸，该器件特别适合需要高效率与节省空间的设计，例如笔记本电脑适配器、消费类电子产品中的电源管理模块及电动工具内的无刷直流电机驱动系统。
BSC099N10NSG
BSC069N10NSG
