时间：2025/5/20 17:09:58
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BSC072N03LD 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换应用。其封装形式为 TO-Leadless（TOLL），有助于提高散热性能并减少寄生电感。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，导通电阻典型值为 0.72mΩ（在 Vgs=10V 时）。由于其出色的动态性能和低损耗，BSC072N03LD 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流、电机驱动以及负载开关等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：195A
导通电阻（Rds(on)）：0.72mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：48nC
输入电容：2550pF
反向恢复时间：65ns
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
BSC072N03LD 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用场景。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 内置反向二极管，用于续流保护，简化电路设计。
5. 热稳定性强，可在高温环境下可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
7. 封装尺寸紧凑，有助于缩小 PCB 占用面积。
BSC072N03LD 主要应用于以下领域：
1. 工业电源和适配器中的高效 DC-DC 转换。
2. 各类电机驱动控制，包括伺服电机和步进电机。
3. 电池管理系统中的负载开关功能。
4. 数据中心及通信设备中的功率因数校正（PFC）电路。
5. 汽车电子领域中的电动助力转向和制动系统。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的功率变换模块。
BSC068N03LS, IRF3710, FDP15N30
