时间：2025/5/12 21:01:49
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DMN2028UFDF 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 芯片。该器件采用超小型 DFN3030-8 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品及计算机外设中的负载开关、同步整流和电机驱动等应用。
这款 MOSFET 通过优化设计，在小封装中实现了高性能表现，同时支持高频开关操作，能够有效降低功耗并提升系统效率。
型号：DMN2028UFDF
类型：N沟道MOSFET
封装：DFN3030-8
最大漏源电压Vds：20V
最大栅源电压Vgs：±8V
连续漏极电流Id：2.4A
导通电阻Rds(on)：75mΩ（在Vgs=4.5V时）
总功耗Ptot：610mW
工作温度范围Tamb：-55°C 至 +150°C
栅极电荷Qg：4nC
DMN2028UFDF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可以显著减少导通损耗，提高整体效率。
2. 小尺寸 DFN3030-8 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
3. 快速开关性能，适合高频应用环境。
4. 较宽的工作温度范围，能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内部结构经过优化，确保了较高的可靠性和耐用性。
DMN2028UFDF 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 同步整流电路，用于 DC-DC 转换器和其他功率转换应用。
3. 电机驱动和电池管理系统的功率控制。
4. 计算机外围设备如 USB 集线器、SSD 和打印机的电源管理。
5. 任何需要高效功率切换的小型化设计场景。
DMN2029UFDF
DMN2027UFDF
