时间：2025/5/14 17:23:27
阅读：3
BSC060N10NS3G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道沟槽型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的开关性能。它适用于各种高效率、高功率密度的应用场景，例如开关电源、电机驱动和电信设备。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-252/DPAK 封装，有助于提高散热性能并节省电路板空间。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：45mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：7nC（典型值）
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSC060N10NS3G 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻设计，有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 内置二极管反向恢复时间短，降低开关损耗。
4. 极高的雪崩击穿能力和鲁棒性，能够应对恶劣的工作条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 小型封装，易于集成到紧凑型设计中。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电池充电器，用于笔记本电脑、手机和其他便携式设备。
3. 电机驱动控制，特别是小功率电机控制。
4. 电信设备中的功率转换模块。
5. 固态继电器和其他工业自动化设备。
6. LED 照明驱动电路，提供高效节能的解决方案。
BSC060N10NS5G, BSC060N10NS3
