时间：2025/5/12 14:23:17
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BSC052N08NS5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沍尔 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和快速开关性能。其主要应用包括开关电源、电机驱动、负载切换等领域。
该芯片的设计目标是实现高效能和高可靠性，适合用于对功率效率要求较高的场景。
最大漏源电压：80V
持续漏极电流：49A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：65nC
开关速度：超快
封装类型：DPAK（TO-263）
BSC052N08NS5 的核心优势在于其极低的导通电阻（仅 1.3mΩ），这显著降低了功率损耗，提升了整体系统效率。
此外，其快速开关能力和较低的栅极电荷使得它非常适合高频应用环境。器件具备出色的热性能，能够有效管理散热问题，并支持长时间稳定运行。
其坚固的设计也保证了在严苛条件下的可靠工作，同时兼容多种保护机制以增强系统的安全性。
该 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、LED 驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动工具等设备中。
由于其卓越的电气特性和热稳定性，它也常被选用在汽车电子领域，例如车载充电器和电动车窗控制模块等场景。
BSC052N08NS3G, IRFZ44N, FDP5570N
