BSC035N04LS 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沁道场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件采用先进的 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等功率管理领域。
该 MOSFET 的封装形式为 SOT223,适合表面贴装工艺,能够有效节省空间并提高散热性能。
最大漏源电压(Vds):40 V
连续漏极电流(Id):9.7 A
导通电阻(Rds(on)):3.5 mΩ
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.1 V
总功耗(Ptot):16 W
工作温度范围(TJ):-55 ℃ to 150 ℃
封装形式:SOT223
BSC035N04LS 具有非常低的导通电阻(3.5 mΩ),这使其在高电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。
它还具备快速开关能力,适用于高频开关电源设计。此外,该器件采用了 Trench 技术,确保了优异的热性能和电气性能。
由于其较小的封装尺寸和出色的散热表现,BSC035N04LS 成为紧凑型设计的理想选择。同时,其高雪崩能力和鲁棒性也保证了在恶劣环境下的可靠运行。
BSC035N04LS 广泛应用于各种功率转换和控制场景,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电机驱动和逆变器。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
BSC036N04LS
BSC038N04LS
IRLB8748PBF
FDP014N04L