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BSC032NE2LS 发布时间 时间:2025/5/29 8:58:39 查看 阅读:8

BSC032NE2LS 是一款基于增强型 MOS 工艺的 N 沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和快速开关能力,能够满足多种功率转换需求。
  其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装封装(如 DPAK 或 SOT-223),适合紧凑型设计要求。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极阈值电压:2.5V
  功耗:175W
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

BSC032NE2LS 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗,从而提高效率并降低发热;具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性;同时支持快速开关操作,可有效降低开关损耗。
  此外,该 MOSFET 的栅极电荷较低,使得驱动更加容易,并且与逻辑电平兼容的栅极驱动电压进一步简化了设计流程。
  其小型化的封装也使它非常适合空间受限的应用环境。

应用

BSC032NE2LS 广泛用于直流-直流转换器(DC-DC converters)、开关模式电源(SMPS)、电动工具中的电机驱动、汽车电子设备以及各种工业控制领域。
  在电池供电设备中,这款 MOSFET 能够提供高效的负载切换功能;而在汽车应用方面,则可用于车身控制系统或启动停止系统的功率级组件。
  由于其出色的性能表现,该型号成为了许多工程师设计高性能功率系统时的理想选择。

替代型号

BSC032N06NS3, IRFZ44N, FDP057N06L

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BSC032NE2LS参数

  • 数据列表BSC032NE2LS
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C84A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.2 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 12V
  • 功率 - 最大37W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC032NE2LS-NDBSC032NE2LSATMA1SP000854378