BSC032NE2LS 是一款基于增强型 MOS 工艺的 N 沟道功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等场景。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压和快速开关能力,能够满足多种功率转换需求。
其封装形式通常为行业标准的小型表面贴装封装(如 DPAK 或 SOT-223),适合紧凑型设计要求。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:16A
导通电阻:2.8mΩ
栅极阈值电压:2.5V
功耗:175W
工作温度范围:-55℃ 至 150℃
BSC032NE2LS 的主要特性包括低导通电阻以减少传导损耗,从而提高效率并降低发热;具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性;同时支持快速开关操作,可有效降低开关损耗。
此外,该 MOSFET 的栅极电荷较低,使得驱动更加容易,并且与逻辑电平兼容的栅极驱动电压进一步简化了设计流程。
其小型化的封装也使它非常适合空间受限的应用环境。
BSC032NE2LS 广泛用于直流-直流转换器(DC-DC converters)、开关模式电源(SMPS)、电动工具中的电机驱动、汽车电子设备以及各种工业控制领域。
在电池供电设备中,这款 MOSFET 能够提供高效的负载切换功能;而在汽车应用方面,则可用于车身控制系统或启动停止系统的功率级组件。
由于其出色的性能表现,该型号成为了许多工程师设计高性能功率系统时的理想选择。
BSC032N06NS3, IRFZ44N, FDP057N06L