时间：2025/5/10 12:50:06
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BSC030N03LS G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于高频开关应用以及需要高效能功率转换的场景。
这款 MOSFET 主要应用于消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子领域，其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，有助于提高热性能和减小 PCB 占用面积。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：142A
导通电阻：0.57mΩ
栅极电荷：48nC
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-Leadless (TOLL)
BSC030N03LS G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，使其能够适应大功率应用场景。
3. 快速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源和电机驱动等应用。
4. 具备出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 小型化的封装设计，节省电路板空间并简化散热管理。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
BSC030N03LS G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
5. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
6. 汽车电子系统中的功率管理模块，例如电动助力转向系统 (EPS) 和车载充电器 (OBC)。
BSC028N03LS G
BSC032N03LS G
IRLB8748PBF
FDP020N03L
