时间：2025/5/13 9:41:59
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BSC028N06LS3G 是一款来自 Infineon（英飞凌）的 N 沱道沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? 技术制造，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-Leadless（TOLL），能够提供良好的热性能和电气性能。
BSC028N06LS3G 的额定电压为 600V，这使其能够在高压环境下稳定运行，同时其极低的导通电阻确保了在高电流应用中的高效表现。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（典型值）：170mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1140pF
结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
开关速度：高速
BSC028N06LS3G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 采用 TRENCHSTOP? 技术，优化了器件的可靠性和耐用性。
4. 支持宽范围的工作温度，能够在极端条件下保持稳定性。
5. 小巧的无引脚封装设计，简化 PCB 布局并提升散热能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
这些特点使得 BSC028N06LS3G 成为各种功率转换电路的理想选择，例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。
BSC028N06LS3G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）：
- 离线式电源适配器
- 电池充电器
2. DC-DC 转换器：
- 降压/升压转换器
- 汽车电子系统中的电源管理
3. 电机驱动：
- 小型直流电机控制
- 家用电器中的变速驱动
4. 工业自动化：
- 可编程逻辑控制器 (PLC) 中的开关元件
- 固态继电器替代方案
由于其高耐压和低导通电阻特性，BSC028N06LS3G 在需要高效功率处理和紧凑设计的应用中表现出色。
BSC028N06NS3,
BSC030N06NS3,
BSC028N06LS3
