BSC028N06LS3G 是一款来自 Infineon(英飞凌)的 N 沱道沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的 TRENCHSTOP? 技术制造,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-Leadless(TOLL),能够提供良好的热性能和电气性能。
BSC028N06LS3G 的额定电压为 600V,这使其能够在高压环境下稳定运行,同时其极低的导通电阻确保了在高电流应用中的高效表现。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻(典型值):170mΩ
栅极电荷:9nC
输入电容:1140pF
结温范围:-55℃ 至 175℃
封装形式:TO-Leadless (TOLL)
开关速度:高速
BSC028N06LS3G 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 采用 TRENCHSTOP? 技术,优化了器件的可靠性和耐用性。
4. 支持宽范围的工作温度,能够在极端条件下保持稳定性。
5. 小巧的无引脚封装设计,简化 PCB 布局并提升散热能力。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。
这些特点使得 BSC028N06LS3G 成为各种功率转换电路的理想选择,例如开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等。
BSC028N06LS3G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):
- 离线式电源适配器
- 电池充电器
2. DC-DC 转换器:
- 降压/升压转换器
- 汽车电子系统中的电源管理
3. 电机驱动:
- 小型直流电机控制
- 家用电器中的变速驱动
4. 工业自动化:
- 可编程逻辑控制器 (PLC) 中的开关元件
- 固态继电器替代方案
由于其高耐压和低导通电阻特性,BSC028N06LS3G 在需要高效功率处理和紧凑设计的应用中表现出色。
BSC028N06NS3,
BSC030N06NS3,
BSC028N06LS3