时间：2025/5/19 19:04:54
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BSC026N08NS5A 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于各种高效能电源管理应用，例如开关电源、电机驱动器以及 DC-DC 转换器等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 SuperSO8（DDPAK），支持表面贴装工艺，适合高密度设计环境。其额定电压为 80V，持续电流能力为 139A（在 RDS(on) 参数测试条件下），并且具备良好的热性能。
最大漏源电压：80V
最大连续漏极电流：72A
导通电阻（RDS(on)）：2.6mΩ
栅极电荷（Qg）：36nC
反向恢复时间（trr）：45ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SuperSO8 (DDPAK)
BSC026N08NS5A 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（2.6mΩ），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，栅极电荷仅为 36nC，可以减少开关损耗。
3. 短暂的反向恢复时间（45ns），进一步优化了高频操作下的性能。
4. 高度耐热，允许的工作结温范围可达 -55°C 至 +175°C，适应恶劣的工作环境。
5. SuperSO8 封装提供卓越的散热特性和紧凑的设计，简化了 PCB 布局。
BSC026N08NS5A 主要应用于需要高性能和低功耗的场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机控制与驱动
3. 电池管理系统（BMS）
4. DC-DC 转换器
5. 工业自动化设备中的电源模块
6. 汽车电子中的负载切换与保护电路
BSC028N08NS5A
BSC032N08NS5A
BSC026N08NS5
