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STS7DNF30L 发布时间 时间:2025/6/4 3:17:19 查看 阅读:10

STS7DNF30L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PDFN5封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其额定电压为30V,广泛用于消费类电子、工业控制以及通信设备等领域。
  这款MOSFET特别适合需要高效能和小型化设计的应用场景,能够显著降低功耗并提高系统效率。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  额定电压:30V
  最大漏极电流:28A
  导通电阻(典型值):1.6mΩ
  栅极电荷:49nC
  工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装形式:PDFN5

特性

STS7DNF30L 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,从而提升整体系统效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作下的高效功率转换。
  3. 小尺寸PDFN5封装,非常适合空间受限的设计环境。
  4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端条件下的可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  6. 内置ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
  这些特点使得 STS7DNF30L 成为众多功率管理电路的理想选择。

应用

STS7DNF30L 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 直流-直流转换器,包括降压、升压及升降压转换。
  3. 电机驱动和负载切换。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器等中的功率管理部分。
  6. 通信设备中的电源管理系统。
  由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计,STS7DNF30L 能够满足现代电子设备对高性能和小型化的需求。

替代型号

IRFZ44N
  AO3400
  FDP5500
  STP36NF06L

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