STS7DNF30L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PDFN5封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其额定电压为30V,广泛用于消费类电子、工业控制以及通信设备等领域。
这款MOSFET特别适合需要高效能和小型化设计的应用场景,能够显著降低功耗并提高系统效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
额定电压:30V
最大漏极电流:28A
导通电阻(典型值):1.6mΩ
栅极电荷:49nC
工作温度范围:-55℃ to 150℃
封装形式:PDFN5
STS7DNF30L 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,从而提升整体系统效率。
2. 高速开关性能,支持高频操作下的高效功率转换。
3. 小尺寸PDFN5封装,非常适合空间受限的设计环境。
4. 支持宽范围的工作温度,确保在极端条件下的可靠运行。
5. 符合RoHS标准,绿色环保。
6. 内置ESD保护功能,增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
这些特点使得 STS7DNF30L 成为众多功率管理电路的理想选择。
STS7DNF30L 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 直流-直流转换器,包括降压、升压及升降压转换。
3. 电机驱动和负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器等中的功率管理部分。
6. 通信设备中的电源管理系统。
由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计,STS7DNF30L 能够满足现代电子设备对高性能和小型化的需求。
IRFZ44N
AO3400
FDP5500
STP36NF06L