STS7DNF30L 时间：2025/6/4 3:17:19 阅读：24

STS7DNF30L 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PDFN5封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其额定电压为30V，广泛用于消费类电子、工业控制以及通信设备等领域。
　　这款MOSFET特别适合需要高效能和小型化设计的应用场景，能够显著降低功耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　额定电压：30V
　　最大漏极电流：28A
　　导通电阻（典型值）：1.6mΩ
　　栅极电荷：49nC
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃
　　封装形式：PDFN5

特性

STS7DNF30L 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
　　2. 高速开关性能，支持高频操作下的高效功率转换。
　　3. 小尺寸PDFN5封装，非常适合空间受限的设计环境。
　　4. 支持宽范围的工作温度，确保在极端条件下的可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，绿色环保。
　　6. 内置ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
　　这些特点使得 STS7DNF30L 成为众多功率管理电路的理想选择。

应用

STS7DNF30L 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
　　2. 直流-直流转换器，包括降压、升压及升降压转换。
　　3. 电机驱动和负载切换。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、手机充电器等中的功率管理部分。
　　6. 通信设备中的电源管理系统。
　　由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计，STS7DNF30L 能够满足现代电子设备对高性能和小型化的需求。