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BSC022N04LS6 发布时间 时间:2025/5/20 17:49:14 查看 阅读:3

BSC022N04LS6是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于OptiMOS系列,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。其封装形式为SOT223-4L,适合表面贴装工艺。
  这款MOSFET的主要特点是极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体系统的效率。同时,它还具备较高的雪崩能力和出色的热稳定性,能够在严苛的工作环境下可靠运行。

参数

最大漏源电压:40V
  最大连续漏电流:9.5A
  导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
  栅极电荷:17nC
  总电容(Ciss):1280pF
  功耗:13.2W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),能够显著降低传导损耗。
  2. 高效的开关性能,适用于高频开关应用。
  3. 封装形式为SOT223-4L,便于集成到紧凑型设计中。
  4. 优秀的热稳定性和可靠性,确保在高温环境下正常工作。
  5. 提供了良好的雪崩能力,增强了器件的鲁棒性。
  6. 工作温度范围广,适应多种环境需求。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级控制。
  4. 电池管理系统中的负载开关。
  5. 各类工业电子设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。

替代型号

BSC022N04LSG
  BSC022N04LS5

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