BSC022N04LS6是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于OptiMOS系列,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用。其封装形式为SOT223-4L,适合表面贴装工艺。
这款MOSFET的主要特点是极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体系统的效率。同时,它还具备较高的雪崩能力和出色的热稳定性,能够在严苛的工作环境下可靠运行。
最大漏源电压:40V
最大连续漏电流:9.5A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
栅极电荷:17nC
总电容(Ciss):1280pF
功耗:13.2W
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(2.2mΩ),能够显著降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,适用于高频开关应用。
3. 封装形式为SOT223-4L,便于集成到紧凑型设计中。
4. 优秀的热稳定性和可靠性,确保在高温环境下正常工作。
5. 提供了良好的雪崩能力,增强了器件的鲁棒性。
6. 工作温度范围广,适应多种环境需求。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 各类工业电子设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
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