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BSC016N06NSSC 发布时间 时间:2025/7/5 17:49:57 查看 阅读:68

BSC016N06NSSC 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式为 SOT-23,非常适合空间受限的应用场景。
  这款 MOSFET 的漏源电压 Vds 高达 60V,连续漏极电流 Id 最大为 1.8A(在特定条件下),并且具备较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss,从而实现高效的开关性能。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷(典型值):3.5nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高开关速度,能够适应高频开关应用。
  3. 小尺寸 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 宽工作温度范围,确保在各种环境下的可靠运行。
  5. 内部二极管反向恢复时间短,降低开关损耗。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代设计中。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级控制。
  5. 各种消费类电子产品的保护和切换功能。
  6. 工业设备中的信号隔离与功率传输控制。

替代型号

BSC018N06NS3, BSC016N06NS3, FDS8947

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