时间：2025/7/5 17:49:57
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BSC016N06NSSC 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。其封装形式为 SOT-23，非常适合空间受限的应用场景。
这款 MOSFET 的漏源电压 Vds 高达 60V，连续漏极电流 Id 最大为 1.8A（在特定条件下），并且具备较低的栅极电荷 Qg 和输入电容 Ciss，从而实现高效的开关性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：45mΩ
栅极电荷（典型值）：3.5nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高开关速度，能够适应高频开关应用。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围，确保在各种环境下的可靠运行。
5. 内部二极管反向恢复时间短，降低开关损耗。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 各种消费类电子产品的保护和切换功能。
6. 工业设备中的信号隔离与功率传输控制。
BSC018N06NS3, BSC016N06NS3, FDS8947
