BS3406ADJ-LF-Z 是一款由 Brightking Technology 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率电源管理和负载开关应用而设计。这款器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力以及良好的热稳定性,使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统等领域。BS3406ADJ-LF-Z 是无铅(Lead-Free)和符合 RoHS 标准的环保产品,适用于现代电子产品对环境保护的要求。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds:30V
栅源电压 Vgs:±20V
连续漏极电流 Id(@25°C):6A
导通电阻 Rds(on)(@Vgs=10V):≤32mΩ
导通电阻 Rds(on)(@Vgs=4.5V):≤50mΩ
功耗(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:DFN3x3-8
BS3406ADJ-LF-Z 的主要特性之一是其低导通电阻,这使得在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件在 10V 和 4.5V 栅极驱动电压下的导通电阻分别为 32mΩ 和 50mΩ,适用于多种电源管理拓扑结构。
此外,该 MOSFET 具有高耐压能力,漏源电压最大可达 30V,适合多种中低压电源应用。其栅极电压范围为 ±20V,确保了在不同控制电路中的稳定运行。
BS3406ADJ-LF-Z 主要用于各类电源管理系统中,如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。它特别适用于需要高效率和低导通损耗的同步降压转换器(Buck Converter)和升压转换器(Boost Converter)设计。
Si2301DS, AO4406A, FDN340P, IPD310N03LG