时间：2025/8/20 6:54:36
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BS3406ADJ-LF-Z 是一款由 Brightking Technology 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和负载开关应用而设计。这款器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及良好的热稳定性，使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统等领域。BS3406ADJ-LF-Z 是无铅（Lead-Free）和符合 RoHS 标准的环保产品，适用于现代电子产品对环境保护的要求。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25°C）：6A
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=10V）：≤32mΩ
导通电阻 Rds(on)（@Vgs=4.5V）：≤50mΩ
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：DFN3x3-8
BS3406ADJ-LF-Z 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件在 10V 和 4.5V 栅极驱动电压下的导通电阻分别为 32mΩ 和 50mΩ，适用于多种电源管理拓扑结构。
此外，该 MOSFET 具有高耐压能力，漏源电压最大可达 30V，适合多种中低压电源应用。其栅极电压范围为 ±20V，确保了在不同控制电路中的稳定运行。
BS3406ADJ-LF-Z 主要用于各类电源管理系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。它特别适用于需要高效率和低导通损耗的同步降压转换器（Buck Converter）和升压转换器（Boost Converter）设计。
Si2301DS, AO4406A, FDN340P, IPD310N03LG
