BS3406是一款由Bright Semiconductor(士兰微)推出的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于电源管理和DC-DC转换应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。BS3406通常用于同步整流、负载开关、电池管理以及各种中小型功率电源系统中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):6A(在Vgs=10V时)
导通电阻(Rds(on)):22mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
功率耗散(Pd):2.5W(最大值)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOP-8
BS3406具有多项优良特性,适用于高性能电源管理系统。其核心特性之一是低导通电阻(Rds(on)),典型值为22mΩ,这使得在高电流工作条件下能显著降低功率损耗,提高系统效率。
该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计,优化了导通和开关性能,使其在高频开关应用中表现优异。同时,其最大连续漏极电流可达6A,适用于中等功率的DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关控制。
BS3406的封装形式为SOP-8,具有良好的散热性能和空间利用率,适用于紧凑型PCB布局设计。此外,其栅源电压范围为±20V,具有较强的抗过压能力,提高了在复杂电源环境下的可靠性。
该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种工业级和消费级应用,具有良好的温度稳定性和长期工作的可靠性。
BS3406广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流电路、负载开关、电池充放电管理、移动电源、笔记本电脑电源模块、LED驱动电路以及各种需要高效功率开关的电子设备。
在DC-DC转换器中,BS3406作为主开关或同步整流管使用,能够显著提高转换效率,减少发热,提升整体系统稳定性。在负载开关应用中,其低导通电阻特性有助于降低压降,提高能效。此外,BS3406还可用于电机驱动、电源多路复用、电源管理IC外围电路等场合,满足多样化的设计需求。
由于其SOP-8封装体积小、性能稳定,BS3406也常用于便携式电子产品、智能穿戴设备、智能家居设备等对空间和功耗要求较高的应用场景。
Si2302DS, AO3400, IRF7404, FDS6675