时间：2025/8/28 13:27:16
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BS2S7HZ7803 是一款由ROHM（罗姆）半导体公司制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用P沟道结构，适用于高侧开关和电源管理应用。该器件设计用于在高电压条件下提供高效能的功率切换，适用于消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统等。BS2S7HZ7803采用了小型SOP（Small Outline Package）封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度电路板设计。
类型：P沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：-30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：-4.4A
导通电阻（Rds(on)）：60mΩ（典型值，Vgs = -10V）
功耗（Pd）：1.25W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOP-8
BS2S7HZ7803具有低导通电阻特性，能够在高负载条件下提供较低的功率损耗，从而提高系统效率。其P沟道结构使其非常适合用于高侧开关电路，无需额外的电荷泵电路，简化了驱动设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的最大栅源电压，提高了在不同应用环境下的稳定性。此外，BS2S7HZ7803具有良好的热稳定性和抗冲击能力，可在高环境温度下可靠运行。
采用SOP-8封装形式，不仅节省了PCB空间，还便于自动化生产和散热管理。ROHM在该器件的设计中融入了高可靠性的制造工艺，确保其在各类严苛环境中都能稳定工作。
BS2S7HZ7803广泛应用于多种功率控制和电源管理系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源管理单元（PMU）以及汽车电子中的电机控制电路。
此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、便携式电子设备和智能家电中的电源控制模块。由于其高可靠性和小尺寸特性，特别适合对空间和效率要求较高的嵌入式系统设计。
在汽车电子领域，BS2S7HZ7803可用于车载电源分配系统、LED照明控制、车载信息娱乐系统电源管理等场景。
Si2301DS, IRML2803, AO4407A, FDC6303P, TPC8107
