BS2S7HZ7306A 时间：2025/8/28 10:24:22 阅读：11

BS2S7HZ7306A 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源管理和负载开关应用设计，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性等特点。BS2S7HZ7306A 采用小型表面贴装封装，适用于便携式电子设备、DC-DC 转换器、电池管理系统以及各类电源控制电路。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：-6.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8

特性

BS2S7HZ7306A 具备多项优良特性，使其在功率管理应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为 40mΩ，有效降低了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适用于高电流负载的应用场景。
　　其次，该器件的最大漏源电压为 -30V，能够承受较高的电压应力，具备良好的电压稳定性。栅源电压容限为 ±20V，使得其在各种驱动条件下都能保持稳定运行。
　　BS2S7HZ7306A 的最大连续漏极电流为 -6.3A，足以满足多数中功率负载的电流需求，适用于电池供电设备的电源开关控制。
　　此外，该器件采用 SOP-8 封装，体积小巧，便于在紧凑型 PCB 设计中使用。同时具备良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种极端环境下的应用需求，广泛用于工业设备、消费电子和汽车电子等领域。

应用

BS2S7HZ7306A 主要用于需要高效功率控制的电路中，如便携式电子产品中的电池电源开关、DC-DC 转换器、负载开关电路、电源管理系统以及各类需要低导通电阻 P 沟道 MOSFET 的应用。
　　在电池供电设备中，BS2S7HZ7306A 可作为高侧开关使用，实现对负载的快速断电控制，提高系统能效并延长电池寿命。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件可作为同步整流器或主开关元件，提升整体转换效率。
　　此外，BS2S7HZ7306A 还可用于工业自动化设备和通信设备的电源管理系统中，实现高效、稳定的功率控制。