BS2F7VZ7395 是一款由ROHM(罗姆)公司生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构,具有低导通电阻和高耐压能力,适合用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动和负载开关等应用场景。BS2F7VZ7395采用紧凑型SOP(小外形封装)封装,具备良好的热性能和空间利用率,适用于各种便携式电子设备和车载电子系统。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):6.4A
导通电阻(Rds(on)):最大值28mΩ @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):4W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:SOP-8
BS2F7VZ7395的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件采用了ROHM的先进沟槽式MOSFET技术,使得导通损耗大幅降低,提高了整体系统的能效。其低Rds(on)值(28mΩ)在10V栅极驱动条件下可实现更高的电流传输效率,减少了在高负载条件下的功率损耗。
此外,BS2F7VZ7395具备良好的热管理能力,其SOP-8封装设计有助于在有限的空间内实现良好的散热性能,从而提高系统的可靠性和耐用性。该MOSFET还具有较高的雪崩耐量,能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持±20V的最大栅极电压,适用于多种驱动电路设计。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器和同步整流器等。BS2F7VZ7395符合RoHS环保标准,适用于对环境要求较高的应用领域。
BS2F7VZ7395广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于:DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及车载电子系统等。由于其低导通电阻和高效率特性,特别适合用于需要高能效和紧凑设计的便携式设备和车载设备。在电源管理系统中,BS2F7VZ7395可用于高效能同步整流、负载切换以及过流保护电路。在电机驱动应用中,该MOSFET能够提供稳定的高电流输出并具备良好的热稳定性,适用于中小型电机的驱动控制。
Si2302DS, IRF7309, AO4406A, FDS6680