类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：120 A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：7.9 mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双散热焊盘
　　功率耗散（Pd）：140 W

BS2F7HZ7903 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热性能，适合在高功率密度设计中使用。
　　该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，使得其在高频开关应用中表现出色，同时具备较低的开关损耗。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。
　　BS2F7HZ7903 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护，增强了系统的可靠性。栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），支持与多种类型的驱动器兼容。
　　此外，该器件符合 RoHS 环保标准，无铅且不含卤素，适用于现代绿色电子产品设计。

BS2F7HZ7903 主要应用于需要高效功率转换的场合，如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器、电源管理系统、电池供电设备以及汽车电子系统等。
　　在计算机和服务器电源系统中，该 MOSFET 常用于 VRM（电压调节模块）和 POL（负载点）转换器，以提高电源转换效率并减小整体尺寸。
　　在电动工具和电动车控制系统中，BS2F7HZ7903 可用于 H 桥电机驱动器，实现高效的双向电机控制。
　　此外，该器件也广泛用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等高功率应用中。

SiSS288N, NexFET CSD17551Q5B, Infineon BSC080N03LS G, STMicroelectronics STL110N3LLH5