类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　平均整流电流（IO）：1.5 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30 A（8.3ms 半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.875 V（在1.5A, TJ=25°C时）
　　最大反向漏电流（IR）：200 μA（在100V, TJ=25°C时）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5 ns
　　工作结温范围（TJ）：-65 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装：SMA（DO-214AC）

FLU17XM的核心优势在于其优异的电气性能和高可靠性。首先，它采用了先进的平面式肖特基势垒结构，这种结构不仅保证了较低的正向导通压降，还显著提升了器件对瞬态过电流的耐受能力。在1.5A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.875V，这意味着在连续导通状态下功耗更小，有助于降低系统整体温升，提高能效。这对于便携式设备或高密度电源模块尤为重要。
　　其次，该器件具备非常快的反向恢复时间（trr ≤ 5ns），几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗。这一特性使其非常适合用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及需要高效整流的场合。
　　再者，FLU17XM的SMA封装具有较小的外形尺寸（约4.5mm x 2.6mm x 2.2mm），便于自动化贴片生产，同时具备良好的散热性能。引线框架采用无铅镀层工艺，兼容现代回流焊流程，并支持无铅焊接要求。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等，确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。
　　此外，该二极管具有高达30A的峰值浪涌电流承受能力，能够在短时间内应对突发的电流冲击，如电源启动瞬间的大电流需求，增强了系统的鲁棒性。其反向漏电流控制良好，在常温下最大仅为200μA，在高温条件下也保持在可接受范围内，避免因漏电导致效率下降或误触发问题。综合来看，FLU17XM是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的理想选择，广泛应用于各类中低功率电源系统中。

FLU17XM因其高效的整流能力和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电力电子系统中。最常见的用途是在开关电源（SMPS）中作为输出整流二极管，尤其是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，用于将高频交流电压转换为稳定的直流电压。由于其低正向压降和快速响应特性，可以显著提升转换效率，减少发热，适用于适配器、充电器和机顶盒等消费类电子产品。
　　在DC-DC转换器中，FLU17XM常用作续流二极管（Freewheeling Diode）或钳位二极管（Clamp Diode），帮助释放电感中储存的能量，防止电压反冲损坏主开关器件（如MOSFET）。这类应用常见于笔记本电脑主板、服务器电源模块以及嵌入式控制系统中。
　　此外，该器件也可用于逆变器电路、LED驱动电源和太阳能微逆变器中，作为防倒灌二极管或同步整流辅助元件。在汽车电子领域，尽管其额定电压和电流不适用于主动力系统，但在车载信息娱乐系统、照明控制单元或辅助电源模块中仍有应用潜力。
　　由于其良好的高温稳定性与可靠性，FLU17XM还可用于工业控制设备，例如PLC模块、传感器供电电路和电机驱动板上的保护与整流环节。在通信设备中，它可用于电源后级整流或信号路径中的隔离与保护。总之，凡是对效率、体积和热管理有较高要求的低压大电流整流场景，FLU17XM都是一个极具竞争力的解决方案。

MBR160FS, SB1100, MBR140, BAT54C, SS14