类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：17mΩ
　　封装类型：TO-277
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　功率耗散：150W
　　栅极电荷(Qg)：83nC
　　

BS2F7HZ0173是一款高性能功率MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，使其在高负载应用中能够保持较低的功率损耗。该器件采用ROHM专有的沟槽栅极技术，提高了电流处理能力和热稳定性。此外，BS2F7HZ0173具有较强的抗雪崩击穿能力，能够在高电压瞬态条件下保持稳定工作，避免因过压导致的器件损坏。其封装形式为TO-277，便于安装和散热管理，适用于紧凑型设计。
　　在开关特性方面，BS2F7HZ0173的开关速度较快，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提高系统整体效率。该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），使得驱动电路的设计更加简单，并降低驱动损耗。由于其优异的电气性能和高可靠性，BS2F7HZ0173非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路等需要高效率和高性能的应用场景。
　　此外，该MOSFET具备良好的热管理能力，能够在高温环境下保持稳定运行，延长设备的使用寿命。ROHM在该器件的设计中采用了先进的芯片结构和封装技术，使其在高电流和高电压下依然保持较低的温升，确保长时间运行的稳定性。因此，BS2F7HZ0173被广泛应用于电动汽车、工业自动化和能源管理系统等领域，满足现代电子系统对高效率、高可靠性和小型化的需求。

BS2F7HZ0173适用于多种高功率和高频应用，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和新能源汽车电子系统。该器件也可用于逆变器、负载开关和功率放大器等电路设计中。

SiHF60N30EF, IPP60N30F3, FDPF60N30E