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BS2103F-E2 发布时间 时间:2025/11/8 5:16:07 查看 阅读:8

BS2103F-E2是一款由台湾茂达电子(Anpec Electronics Corporation)推出的高效率、电流模式PWM(脉冲宽度调制)控制器芯片,专为离线式反激变换器(Flyback Converter)应用而设计。该芯片集成了多种保护功能和优化特性,适用于小功率至中等功率的AC-DC电源转换场合,如手机充电器、适配器、LED照明电源、家用电器辅助电源以及工业控制电源等。BS2103F-E2采用固定频率工作模式,具备良好的动态响应能力,并通过内部集成高压启动电路,有效简化了外围设计并降低了系统成本。该芯片封装形式为SOP-8,便于自动化生产与散热管理。其设计目标是在保证高可靠性和高效率的同时,提供出色的电磁干扰(EMI)性能,并满足国际能效标准,例如能源之星(Energy Star)和欧盟CoC(Code of Conduct)相关规范的要求。
  BS2103F-E2内置了全面的保护机制,包括过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)以及前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)等功能,确保在各种异常工况下仍能安全运行。此外,该芯片支持低启动电流和工作电流设计,有助于提升轻载效率,实现待机功耗低于100mW甚至更低的目标,符合现代绿色节能电源的发展趋势。

参数

工作电压范围:10V ~ 25V
  启动电流:≤5μA
  工作电流:≈3.5mA
  关闭电流:≈1.2mA
  最大占空比:≈65%
  振荡器频率:65kHz ± 8%
  驱动输出方式:图腾柱输出
  峰值电流限制阈值:约0.85V(内部设定)
  软启动时间:典型值8ms
  保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)
  封装形式:SOP-8
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  引脚配置:GND, VDD, FB, CS, GATE, NC, HV, NC

特性

BS2103F-E2具备多项先进特性,使其在同类PWM控制芯片中表现出色。首先,其内置高压启动电路可直接从整流后的高压直流母线取电,在上电初期为VDD电容充电,从而无需额外的启动电阻网络,不仅节省了元件数量和PCB空间,还显著提升了系统的启动可靠性和长期稳定性。该启动机制在完成预充电后会自动退出,避免持续功耗,进一步优化整体效率。
  其次,芯片采用了电流模式控制架构,能够提供快速的线路和负载瞬态响应,同时便于实现逐周期电流限制保护,增强了系统的安全性与鲁棒性。其内置的前沿消隐电路可在MOSFET开通瞬间屏蔽来自电流检测电阻的尖峰噪声,防止误触发保护,从而提高系统抗干扰能力,尤其是在使用非理想布局或存在寄生电感的情况下尤为重要。
  再者,BS2103F-E2集成了完备的多重保护功能。当反馈引脚(FB)电压异常升高时,芯片将判定为输出过压状态并立即关闭输出驱动,进入锁存或自动恢复模式;过载或短路条件下则通过检测反馈信号持续时间来判断故障,触发过载保护动作。过温保护功能可在芯片结温超过安全阈值时自动切断输出,待温度下降后恢复正常运行,保障设备在高温环境下的可靠性。
  此外,该芯片具有良好的EMI抑制能力,得益于其内部斜坡补偿设计和稳定的振荡器结构,能够在不牺牲效率的前提下降低传导和辐射噪声。结合外部简单的RC滤波网络即可满足Class B等级的EMI要求,适用于对电磁兼容性有严格要求的应用场景。整体而言,BS2103F-E2以其高集成度、高可靠性和优异的能效表现,成为众多中小功率开关电源设计的理想选择。

应用

BS2103F-E2广泛应用于各类小功率到中等功率的隔离型AC-DC开关电源中。典型应用场景包括手机、平板电脑及其他便携式电子设备的充电器(charger),其中它作为主控IC用于构建反激式拓扑结构,实现高效稳定的直流输出。在LED照明领域,该芯片可用于驱动离线式LED灯泡、筒灯、日光灯管等产品,支持宽输入电压范围(如85VAC~265VAC),适应全球不同地区的电网标准。此外,BS2103F-E2也常见于家用电器中的辅助电源(Auxiliary Power Supply),例如电视、空调、洗衣机等设备内部的5V或12V待机电源模块,为其微处理器、遥控接收电路和传感器供电。
  在工业控制和智能仪表中,该芯片被用于构建小型开关电源模块,为PLC、HMI、继电器模块等提供稳定的工作电压。由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力,因此适合在较为恶劣的工业环境中长期运行。另外,BS2103F-E2还可用于物联网(IoT)设备、智能家居网关、无线路由器等网络通信类产品的电源设计中,满足低待机功耗和高转换效率的需求。总体来看,只要是对成本敏感、追求高集成度且需要符合安规认证的反激电源方案,BS2103F-E2都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

AP8012, OB2263, TNY67EG, FSDH321, SG6848

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BS2103F-E2参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT,N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电10V ~ 18V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH1V,2.6V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)60mA,130mA
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)600 V
  • 上升/下降时间(典型值)200ns,100ns
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP