时间：2025/12/26 10:55:35
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SBR20A120CT是一款由 Vishay Semiconductor 出品的高性能双共阴极肖特基势垒整流器，专为高效率、高电流密度的电源转换应用而设计。该器件采用先进的平面技术制造，具有低正向电压降和快速开关特性，非常适合用于需要高效能表现的电源系统中。SBR20A120CT的最大重复反向电压为120V，额定平均正向整流电流可达20A，适用于在严苛工作条件下保持稳定性能的应用场景。其封装形式为TO-247AC，具备优良的散热能力，能够在高温环境中可靠运行。该器件无反向恢复时间（trr），因而是理想的高频整流解决方案，可显著降低开关损耗并提升整体系统效率。
SBR20A120CT广泛应用于服务器电源、电信设备电源、工业电源以及DC-DC转换器等对效率和热管理要求较高的场合。由于其双共阴极结构，两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极连接，这种配置常用于中心抽头变压器的全波整流电路中，尤其适合低压大电流输出的设计需求。此外，该器件符合RoHS指令，并且通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保材料的要求。Vishay提供的高质量制造工艺确保了产品的一致性和长期可靠性，使其成为众多高端电源设计中的首选元件之一。
最大重复反向电压（VRRM）：120V
平均正向整流电流（IF(AV)）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A
正向电压降（VF）：典型值0.63V（在IF=10A, TJ=125°C时）
最大正向电压降（VF）：0.72V（在IF=20A, TJ=125°C时）
反向漏电流（IR）：最大2.0mA（在VR=120V, TJ=125°C时）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
热阻结至壳（RθJC）：1.2°C/W
封装类型：TO-247AC
SBR20A120CT的核心优势在于其卓越的电学性能与热稳定性结合。该器件采用平面肖特基技术，实现了极低的正向导通压降，这不仅提升了能量转换效率，还减少了功率损耗，从而降低了系统的热负荷。在20A的大电流工作条件下，其最大正向压降仅为0.72V（TJ=125°C），相较于传统硅二极管具有明显优势。同时，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复时间（trr），有效避免了开关过程中的反向恢复电荷引起的尖峰电流和电磁干扰问题，这对于高频开关电源尤为重要。
该器件的双共阴极结构设计使其特别适用于全波同步整流或中心抽头变压器次级侧整流，能够简化PCB布局并提高功率密度。TO-247AC封装提供了良好的机械强度和优异的热传导性能，配合适当的散热器使用，可在高负载条件下维持较低的结温，延长器件寿命。此外，SBR20A120CT具备出色的抗热冲击能力和长期稳定性，在反复热循环下仍能保持电气参数一致性。其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）使得该器件能够在极端环境温度下正常运行，适用于工业级和部分汽车级应用场景。所有金属化端子均采用镀镍处理，增强了焊接可靠性和耐腐蚀性。综合来看，SBR20A120CT是一款集高效率、高可靠性与环保特性于一体的先进功率整流器件，适用于对性能要求严苛的现代电力电子系统。
SBR20A120CT主要应用于各类高效率开关电源系统中，尤其是在需要低压大电流输出的场合表现出色。常见应用包括通信电源、服务器电源模块（如ATX、EPS等）、工业用DC-DC转换器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器中的次级整流环节。由于其低正向压降和零反向恢复时间的特性，该器件能显著提升电源的整体转换效率，减少发热，从而允许更紧凑的系统设计。在数据中心和电信基础设施中，电源效率直接影响运营成本和散热设计复杂度，因此SBR20A120CT成为优化能效的关键组件之一。
此外，该器件也适用于电池充电系统、电动工具电源适配器以及医疗设备电源等对安全性和稳定性要求较高的领域。在采用中心抽头变压器架构的全波整流电路中，SBR20A120CT的双共阴极配置可直接替代两个分立二极管，简化装配流程并提升可靠性。其高浪涌电流承受能力（IFSM达150A）使其在面对瞬态过载或启动冲击电流时仍能保持稳定工作。对于追求高功率密度和高效率的小型化电源设计而言，SBR20A120CT是一个理想的选择。随着绿色能源和节能技术的发展，该器件也在新能源汽车车载充电机（OBC）辅助电源、LED驱动电源等领域逐步获得应用。
SBRT20A120CT
VS-20CTQ120-M3
STPS20H120CG
BAS20-02FRHT
