类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP（表面贴装）
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.017Ω（在Vgs=10V时）

BS17A9QWA MOSFET 具备多项优异特性，适用于高性能电源管理系统。其低导通电阻 Rds(on) 显著降低了导通损耗，从而提高了整体效率。该器件的最大漏源电压为 30V，能够支持中等功率级别的应用需求。其栅源电压范围为 ±20V，提供了较大的控制灵活性，并有助于防止栅极过压损坏。
　　BS17A9QWA 采用 SOP 封装形式，体积小巧，适合高密度 PCB 设计。这种封装形式还具备良好的散热性能，能够在较高电流下稳定运行。器件的最大连续漏极电流为 10A，适合用于中等功率负载的开关控制。
　　此外，BS17A9QWA 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 +150°C，使其能够在多种环境条件下可靠工作。该器件还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下保持良好的电气性能。由于其优异的电气和热特性，BS17A9QWA 被广泛应用于各类电源转换系统、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统中。

BS17A9QWA MOSFET 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动器。该器件的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于便携式电子设备的电池管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等。此外，BS17A9QWA 还可用于工业自动化控制系统中的功率开关元件，如PLC模块和传感器电源管理电路。由于其优异的热稳定性和紧凑的封装设计，该MOSFET也常用于高密度电路板设计和空间受限的应用场景。

Si9410BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF7413PBF, AO4406A, NDS355AN