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HY5MS5B6ALFP-H 发布时间 时间:2025/9/1 12:24:30 查看 阅读:7

HY5MS5B6ALFP-H 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高性能、低功耗的移动DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于移动设备,如智能手机和平板电脑。该芯片采用FBGA封装,具有较高的集成度和较低的功耗,支持高性能数据处理和存储需求。

参数

型号:HY5MS5B6ALFP-H
  容量:512MB
  类型:DRAM
  封装:FBGA
  工作电压:1.5V / 1.35V
  频率:800MHz
  数据宽度:16位
  接口类型:Mobile DDR2
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

HY5MS5B6ALFP-H 具备低功耗设计,适用于移动设备的内存扩展需求。其Mobile DDR2接口支持高频率运行,提供快速的数据访问能力,同时保持较低的能耗,延长设备电池寿命。此外,该芯片采用先进的制造工艺,确保稳定性和可靠性。
  该芯片的封装形式为FBGA,体积小巧,适合空间受限的便携式电子产品。其支持自动刷新和自刷新功能,能够在设备处于低功耗模式时保持数据完整性,减少系统功耗。同时,其工作温度范围较宽,适用于各种恶劣环境下的稳定运行。
  HY5MS5B6ALFP-H 还具备较高的兼容性,能够与多种移动处理器平台配合使用,满足不同设备对内存性能的需求。其高速数据传输能力和低延迟特性,使得该芯片在处理多任务和图形密集型应用时表现出色。

应用

HY5MS5B6ALFP-H 主要应用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备、智能穿戴设备等需要高性能、低功耗内存的移动电子设备。它也可用于嵌入式系统、工业控制设备和车载电子系统,以满足这些设备对内存性能和功耗的严格要求。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, K4T1G164QE-FGC1

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