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BS107A 发布时间 时间:2025/7/23 20:03:47 查看 阅读:7

BS107A是一种常用的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路中。它具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点,适合用于DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场合。BS107A采用TO-220封装,具有良好的散热性能,能够在较高功率下稳定工作。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):最大17A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):最大30mΩ(当Vgs=10V时)
  功耗(Pd):最大62.5W
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:TO-220

特性

BS107A的主要特性包括低导通电阻、高耐压和高电流能力。其低Rds(on)特性可以减少导通损耗,提高系统效率。此外,它具有快速开关速度,适用于高频开关应用。BS107A还具有良好的热稳定性和过载能力,能够在恶劣工作条件下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常在4V至10V之间即可完全导通,适用于多种驱动电路。TO-220封装提供了良好的散热性能,便于安装散热片,提高散热效率。

应用

BS107A常用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、LED驱动、电池充电器和负载开关等应用。在电源管理领域,它可用于高效降压或升压变换器,提高电源转换效率。在电机控制应用中,BS107A可用于H桥驱动电路,实现电机的正反转控制。此外,它也常用于开关电源、逆变器和UPS系统中,作为主开关元件使用。

替代型号

IRFZ44N, FDPF085N06, STP16NF06

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BS107A参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压200 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流250 mA
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)6.4 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-92
  • 封装Bulk
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值)0.0004 S
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散0.35 W
  • 工厂包装数量1000