BS0901 时间：2025/5/21 10:14:14 阅读：5

BS0901是一款N沟道增强型MOSFET，主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻、快速开关速度和高可靠性方面表现出色。它适用于各种便携式电子设备、计算机外设以及通信设备等领域。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：1.8A
　　导通电阻：55mΩ
　　栅极电荷：6nC
　　开关时间：典型值4ns（开启），7ns（关闭）
　　工作结温范围：-55℃至150℃

特性

BS0901具有较低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。
　　其快速的开关速度非常适合高频应用环境，同时具备出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　此外，器件封装小巧，便于安装和集成到紧凑型设计中。
　　由于其低电荷特性和坚固的设计，BS0901还能够承受一定的瞬态电压冲击和浪涌电流，确保长期稳定运行。

应用

BS0901广泛应用于多种领域，例如DC-DC转换器中的功率开关、负载开关、电机驱动电路、电池保护电路以及背光LED驱动等。
　　在消费类电子产品中，这款MOSFET常被用于手机充电器、平板电脑适配器以及其他便携式设备的电源管理模块。
　　同时，它也适合工业控制、汽车电子等需要高效能和高可靠性的场景。