时间：2025/7/22 13:40:45
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STL18N65M5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和功率因数校正（PFC）电路中。该器件采用先进的超级结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压特性，适用于高效率、高密度电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：18A（在Tc=25℃）
最大导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω（最大值，典型值0.21Ω）
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220、D2PAK等
功率耗散（Ptot）：125W
STL18N65M5采用了STMicroelectronics的超级结技术，显著降低了导通电阻并提高了器件的开关性能。该器件具有极低的Rds(on)，减少了导通损耗，提高了能效。此外，其高耐压能力（650V）使其适用于高电压输入的电源系统，如AC-DC转换器和功率因数校正电路。
该MOSFET还具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高负载和高温环境下的长期运行。其封装形式（如TO-220和D2PAK）便于散热设计，提升了系统的稳定性和寿命。
STL18N65M5的栅极驱动特性优化，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。它还具备良好的抗雪崩能力，能够在高能量脉冲下保持稳定工作，适用于高可靠性要求的应用场景。
STL18N65M5常用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制器、光伏逆变器、UPS不间断电源以及功率因数校正（PFC）电路等。由于其高耐压和低导通电阻特性，特别适合用于中高功率的DC-DC转换器和反激式电源拓扑中。
在工业自动化和电机控制领域，该器件可用于构建高效率的H桥驱动电路或功率开关模块。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，STL18N65M5也广泛用于功率开关和能量转换环节。
STL20N65M5, STW18NK65Z, FDPF18N65S, IPW65R024CFD7
